關(guān)于集成電路的電磁兼容測(cè)試

集成電路電磁兼容的標(biāo)準(zhǔn)化 

由于集成電路的電磁兼容是一個(gè)相對(duì)較新的學(xué)科，盡管對(duì)于電子設(shè)備及子系統(tǒng)已經(jīng)有了較具體的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)，但對(duì)于集成電路來(lái)說(shuō)其測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)卻相對(duì)滯后。國(guó)際電工委員會(huì)第47A技術(shù)分委會(huì)(IEC SC47A)早在1990年就開(kāi)始專(zhuān)注于集成電路的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)研究。此外，北美的汽車(chē)工程協(xié)會(huì)也開(kāi)始制定自己的集成電路電磁兼容測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)SAE J 1752，主要是發(fā)射測(cè)試的部分。1997年，IEC SC47A下屬的第九工作組WG9成立，專(zhuān)門(mén)負(fù)責(zé)集成電路電磁兼容測(cè)試方法的研究，參考了各國(guó)的建議，至今相繼出版了150kHz－1GHz的集成電路電磁發(fā)射測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)IEC61967和集成電路電磁抗擾度標(biāo)準(zhǔn)IEC62132 。此外，在脈沖抗擾度方面，WG9也正在制定對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)IEC62215。 

目前，IEC61967標(biāo)準(zhǔn)用于頻率為150kHz到1GHz的集成電路電磁發(fā)射測(cè)試，包括以下六個(gè)部分： 

第一部分：通用條件和定義(參考SAE J1752.1)； 
第二部分：輻射發(fā)射丈量方法——TEM小室法(參考SAE J1752.3)； 
第三部分：輻射發(fā)射丈量方法——表面掃描法(參考SAE J1752.2)； 
第四部分：傳導(dǎo)發(fā)射丈量方法——1Ω/150Ω直接耦正當(dāng)； 
第五部分：傳導(dǎo)發(fā)射丈量方法——法拉第籠法WFC(workbench faraday cage)； 
第六部分：傳導(dǎo)發(fā)射丈量方法——磁場(chǎng)探頭法。 

IEC62132標(biāo)準(zhǔn)，用于頻率為150kHz到1GHz的集成電路電磁抗擾度測(cè)試，包括以下五部分： 

第一部分：通用條件和定義； 
第二部分：輻射抗擾度丈量方法—— TEM小室法 ； 
第三部分：傳導(dǎo)抗擾度丈量方法——大量電流注進(jìn)法(BCI) ； 
第四部分：傳導(dǎo)抗擾度丈量方法——直接射頻功率注進(jìn)法(DPI) ； 
第五部分：傳導(dǎo)抗擾度丈量方法——法拉第籠法(WFC)。 

IEC62215標(biāo)準(zhǔn)，用于集成電路脈沖抗擾度測(cè)試，包括以下三部分，但尚未正式出版： 

第一部分：通用條件和定義； 

第二部分：傳導(dǎo)抗擾度丈量方法——同步脈沖注進(jìn)法 ； 
第三部分：傳導(dǎo)抗擾度丈量方法——隨機(jī)脈沖注進(jìn)法參考(IEC61000-4-2和IEC61000-4-4) 。 

下文主要針對(duì)IEC61967 和IEC62132的測(cè)試方法進(jìn)行講解。